RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3052
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link