RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
44
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3733
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link