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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
44
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3416
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
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