RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2536
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVF1B163BEG 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link