RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
44
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2885
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link