RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3166
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link