RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2702
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link