RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
44
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3077
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link