RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
44
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3779
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link