RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
44
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3486
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link