RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
44
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
19.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
4293
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link