RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
70
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
1934
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link