RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
44
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3219
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link