RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs INTENSO 5641152 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
INTENSO 5641152 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO 5641152 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
44
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2215
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
INTENSO 5641152 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link