RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
44
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2563
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link