RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3474
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link