RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
44
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3222
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link