RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
44
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2790
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link