RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
49
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2191
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link