Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Unterschiede

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 49
    Rund um -53% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.8 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.4 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 16.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 15.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2070 left arrow 3579
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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