RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2653
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link