RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
49
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2949
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link