RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
49
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2757
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link