RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
49
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2855
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link