RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
49
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3779
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link