RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2625
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link