Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Unterschiede

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 49
    Rund um -113% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.3 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 17.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 13.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2070 left arrow 3233
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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