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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
47
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2822
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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