RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
47
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3759
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link