RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
47
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2949
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link