RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
47
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2332
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link