RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3300
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link