RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3519
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link