RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3748
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link