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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
47
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
4014
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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