RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
47
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
1617
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link