RAM-Vergleich Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Gesamtnote

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.8 7.4

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 47

Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.2 10.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2169 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns