RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
47
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3498
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link