RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
47
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2872
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link