RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
47
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2969
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link