RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
47
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3506
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link