RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2382
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link