RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2594
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link