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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
52
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
47
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2202
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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