RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
66
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
1699
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link