RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
63
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2061
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link