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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
55
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2424
2808
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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