RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
55
Rund um -162% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2424
2930
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor FSGG45F-D8KMB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link