RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3008
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link