Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Unterschiede

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 65
    Rund um 49% geringere Latenzzeit
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.4 left arrow 8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 7.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 65
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 16.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.3 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1911 left arrow 2041
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche